LET-5000半導體測試系統(tǒng)能在2200V（可擴展為8000V）和1000A （可擴展為6000A）的條件下實現(xiàn)**測量、分析功率半導體器件的靜態(tài)參數(shù)。LET-5000具有快脈沖能力，并具有優(yōu)異的寬電壓和電流測量能力。這些功能能夠對最新的器件（例如 IGBT）和新型材料（例如 GaN 和 SiC）進行測量，可以測試器件包括：MOSFET、IGBT、二極管、三極管、JET、HEMT、光耦等。  LET-5000由多個獨立的高精度源組成，每個功率源模塊上配備兩個獨立的模數(shù)(AD)轉換器支持2μs采樣率，每個模塊上的驅動能夠獨立**控制，對有可能影響器件特性的關鍵計時進行**監(jiān)測。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻**測量、nA 級漏電流測量能力等特點，支持高壓模式下功率器件結電容測試，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

被測對象及主要測試參數(shù)