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電源浪涌保護(hù)器,信號浪涌保護(hù)器,避雷器,擊穿保險

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揚(yáng)州浪涌電氣有限公司

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    電源浪涌保護(hù)器,信號浪涌保護(hù)器,避雷器,擊穿保險

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    寶源路西首

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DS253E-400電源電涌保護(hù)器(可以用YLSP-T1-25替換DS250E)
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產(chǎn)品: 瀏覽次數(shù):511DS253E-400電源電涌保護(hù)器(可以用YLSP-T1-25替換DS250E) 
品牌: 益雷
標(biāo)稱放電電流: 25ka
沖擊放電電流: 25ka
核心材料: 放電管
單價: 36.00元/
最小起訂量: 1
供貨總量: 10000000
發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 1 天內(nèi)發(fā)貨
有效期至: 長期有效
最后更新: 2023-01-15 21:51
  詢價
詳細(xì)信息
  • 加工定制:否
  • 型號:DS253E-400
  • 標(biāo)稱放電電流:25ka
  • 響應(yīng)時間:25ns
  • 最大操作電壓:320v
  • 最大放電電流:150ka

DS253E-400電源電涌保護(hù)器(可以用YLSP-T1-25替換DS250E)

DS250E(可以用YLSP-T1-25替換DS250E)是加強(qiáng)型Type1級電源電涌保護(hù)器,專為保護(hù)低壓配電網(wǎng)絡(luò)免受直擊雷和感應(yīng)雷的侵襲而設(shè)計,特別適用于重雷區(qū)和直擊雷風(fēng)險較高的地區(qū)。

DS250E系列電涌保護(hù)器可用于保護(hù)單相網(wǎng)絡(luò)或三相網(wǎng)絡(luò),可與專用于N/PE的電涌保護(hù)器(DS100EG,氣體放電管技術(shù))組合使用。

共模保護(hù):DS250VG(可以用YLSP-T1-25替換DS250E)分別裝在相線L和中線N與地線PE之間。

差模/共模保護(hù):DS250VG(可以用YLSP-T1-25替換DS250E)裝在相線L和中線N之間做差模保護(hù);專用于N線保護(hù)的DS100EG裝在中線N與地線PE之間做共模保護(hù)。


產(chǎn)品特性:

?? ? ? 1. ?Type1級加強(qiáng)型電涌保護(hù)器

? ? ? ?2. ?“VG”技術(shù):無漏電流,無跟隨電流

? ? ? ?3. ? 雷電測試電流:25kA(10/350μs波形)

? ? ? ?4. ? 內(nèi)置熱脫扣機(jī)構(gòu)、故障顯示、遙信告警、低殘壓

? ? ? ?5. ? 符合IEC 61643-1、EN 61643-11、UL1449 3rd

DS253E-400可以用YLSP-T1-25/3+NPE320替換DS253E-400,

DS253E-300可以用YLSP-T1-25/3+NPE320替換DS253E-400

性能參數(shù):

型號: YLSP-T1-25-4-320

額定電壓Un:220VAC/380VAC

持續(xù)運(yùn)行電壓Uc: 320VAC

沖擊電流(10/350)Iimp:25kA

標(biāo)稱放電電流(8/20)In:25kA

放電電流(8/20)Imax:150kA

電壓保護(hù)水平Up:≤2.0kV


一級浪涌保護(hù)器帶RS485通訊接口是依據(jù)IEC低壓防雷及浪涌保護(hù)器的標(biāo)準(zhǔn)和GB標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計,應(yīng)用于電源供電系統(tǒng)**級的防雷保護(hù)產(chǎn)品。產(chǎn)品具備很高的雷電流泄放能力,單模塊**放電電流達(dá)到100kA,可防范直擊雷在內(nèi)的各種電涌。應(yīng)用于雷擊風(fēng)險較高地區(qū)的設(shè)備系統(tǒng)的電源**級防雷。

T1級浪涌保護(hù)器帶RS485通訊接口一級浪涌保護(hù)器帶RS485通訊接口無續(xù)流,可以安裝在變壓器的低壓總柜處作浪涌保護(hù)。

根據(jù)IEC61312-1防雷分區(qū)的定義:雷電保護(hù)區(qū)LPZ0A(0A區(qū)),

該區(qū)內(nèi)的各物體都可能遭受直接雷擊,同時在該區(qū)內(nèi)雷電產(chǎn)生的電磁場能自由傳播,沒有衰減。雷電保護(hù)區(qū)LPZ0B(0B區(qū)),

該區(qū)內(nèi)的各物體在接閃器保護(hù)范圍內(nèi),不會遭受直接雷擊,但該區(qū)內(nèi)的雷電電磁場因沒有屏蔽裝置,雷電產(chǎn)生 的電磁場也能自由傳播,沒有衰減。雷電保護(hù)區(qū)LPZ1(1區(qū)),

該區(qū)內(nèi)的各個物體因在建筑內(nèi),不會遭受直接雷擊,流經(jīng)各導(dǎo)體的電流比LPZ0B區(qū)更小,

本區(qū)內(nèi)的雷電電磁場可能衰減(雷電電磁場與LPZ0A、LPZ0B區(qū)可能不一致),這取決于屏蔽措施。

后續(xù)防雷區(qū)LPZ2(2區(qū)等)當(dāng)需要進(jìn)一步減小雷電流和電磁場時,應(yīng)引入后續(xù)防雷區(qū),并按照需要保護(hù)的系統(tǒng)所要求的環(huán)境選擇后續(xù)防雷區(qū)的要求條件。區(qū)間不同級別防雷器的安裝位置區(qū)別B級C級D級可否遭受直接雷擊沒有衰減0A區(qū) 可能遭受直接雷擊沒有衰減0B區(qū),不會遭受直接雷擊浪涌防雷器1區(qū)0區(qū)與1區(qū)之間的交界和處 不會遭受直接雷擊有衰減2區(qū)等 1區(qū)與2區(qū)之間的交界處重要設(shè)備前端不會遭受直接雷擊進(jìn)一步衰減。


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