2020年開篇伊始,全球半導(dǎo)體**制程之戰(zhàn)新的交鋒已然火花四射。
從華為、蘋果打響7nm旗艦手機芯片**槍開始,7nm芯片產(chǎn)品已成百花齊放之勢,而5nm芯片也將在今年下半年正式首秀。
10nm、7nm、5nm、3nm……這些逐漸縮小的芯片制程數(shù)字,正是全球電子產(chǎn)品整體性能不斷進化的核心驅(qū)動力。
通往更**制程的道路猶如攀登高峰,飆高的技術(shù)難度和研發(fā)成本將大多數(shù)芯片代工廠攔在半山腰,全球唯有臺積電、三星、英特爾還在向峰頂沖刺。
就在剛剛過去4個月,三星、臺積電和英特爾接連密集釋放關(guān)于更**制程的新訊息。
三星**3nm芯片研發(fā)成功,臺積電3nm芯片晶體管密度達2.5億/mm,英特爾官宣制程回歸兩年更新周期。
型號 | 支持車載 | 極性 | VDSS | ∣D | PD (W) | RDS(on) TYP. (mΩ) |
Qg Typ. (nC) |
封裝 | |
(AEC-Q101) | (Ch) | (V) | (A) | (TC=25°C) | VGS=18v | VGS=18v | 驅(qū)動電壓(V) | ||
第2代 Sic MOSFET | |||||||||
SCH2080KE | - | N | 1200 | 40 | 262 | 80 | 106 | 18 | TO-247 |
SCT2080KE | - | N | 1200 | 40 | 263 | 80 | 106 | 18 | |
SCT2080KEAHR | YES | N | 1200 | 40 | 264 | 80 | 106 | 18 | |
SCT2160KE | - | N | 1200 | 22 | 165 | 160 | 62 | 18 | |
SCT2160KEAHR | YES | N | 1200 | 22 | 165 | 160 | 62 | 18 | |
SCT2280KE | - | N | 1200 | 14 | 108 | 280 | 35 | 18 | |
SCT2280KEAHR | YES | N | 1200 | 14 | 108 | 280 | 35 | 18 | |
SCT2450KE | - | N | 1200 | 10 | 85 | 450 | 27 | 18 | |
SCT2450KEAHR | YES | N | 1200 | 10 | 85 | 450 | 27 | 18 | |
SCT2750NY | - | N | 1700 | 5.9 | 57 | 750 | 17 | 18 | TO-268-2L |
SCT2H12NY | - | N | 1700 | 4 | 44 | 1150 | 14 | 18 | |
SCT2H12NZ | - | 1700 | 3.7 | 35 | 1150 | 14 | 18 | TO-3PFM | |
第3代 Sic MOSFET | |||||||||
SCT3017AL | - | N | 650 | 118 | 427 | 17 | 172 | 18 | TO-247N |
SCT3022AL | - | N | 650 | 93 | 339 | 22 | 133 | 18 | |
SCT3030AL | - | N | 650 | 70 | 262 | 30 | 104 | 18 | |
SCT3060AL | - | N | 650 | 39 | 165 | 60 | 58 | 18 | |
SCT3080AL | - | N | 650 | 30 | 134 | 80 | 48 | 18 | |
SCT3120AL | - | N | 650 | 21 | 103 | 120 | 38 | 18 | |
SCT2120AF | - | N | 650 | 29 | 165 | 120 | 61 | 18 | TO-220AB |
SCT3022KL | - | N | 1200 | 95 | 427 | 22 | 178 | 18 | TO-247N |
SCT3030KL | - | N | 1200 | 72 | 339 | 30 | 131 | 18 | |
SCT3040KL | - | N | 1200 | 55 | 262 | 40 | 107 | 18 | |
SCT3080KL | - | N | 1200 | 31 | 165 | 80 | 60 | 18 | |
SCT3160KL | - | N | 1200 | 17 | 103 | 160 | 42 | 18 |
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