EVG?6200 NT  Mask Alignment System(semi-automated / automated)

EVG?6200NT  掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)（半自動(dòng)/自動(dòng)）

EVG?6200NT掩模對(duì)準(zhǔn)器是用于光學(xué)雙面光刻和最大200 mm晶圓尺寸的多功能工具。

技術(shù)數(shù)據(jù)

EVG6200 NT以其自動(dòng)化靈活性和可靠性而著稱，在最小的占位面積上提供了最**的掩模對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，并具有最高的通量，**的對(duì)準(zhǔn)功能和優(yōu)化的總擁有成本。操作員友好型軟件，最短的掩模和工具更換時(shí)間以及高效的全球服務(wù)和支持使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。

 EVG6200 NT或完全容納的EVG6200 NT Gen2掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)有半自動(dòng)或自動(dòng)配置，并配有集成的振動(dòng)隔離功能，可在廣泛的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的曝光效果，例如薄和厚抗蝕劑的曝光，深腔的圖案化和可比的形貌，以及薄而易碎的材料（例如化合物半導(dǎo)體）的加工。此外，半自動(dòng)和全自動(dòng)系統(tǒng)配置均支持EVG專有的SmartNIL技術(shù)。

特征：

晶圓/基片尺寸從最大200 mm / 8'’

系統(tǒng)設(shè)計(jì)支持光刻工藝的多功能性：

在第一打印模式下的吞吐量高達(dá)180 WPH，在自動(dòng)對(duì)齊模式下的吞吐量高達(dá)140 WPH

易碎，薄或翹曲的多種晶圓尺寸的晶圓處理，更換時(shí)間短

帶有間隔墊片的自動(dòng)無(wú)接觸楔形補(bǔ)償程序

自動(dòng)原點(diǎn)功能，用于對(duì)準(zhǔn)鍵的精確居中

具有實(shí)時(shí)偏移校正的動(dòng)態(tài)對(duì)準(zhǔn)功能            支持最新的UV-LED技術(shù)

返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)          自動(dòng)化系統(tǒng)上的手動(dòng)基材裝載功能

可以從半自動(dòng)版本升級(jí)為全自動(dòng)版本          最小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求

多用戶概念（無(wú)限數(shù)量的用戶帳戶和配方，可分配的訪問權(quán)限，不同的用戶界面語(yǔ)言）

**的軟件功能以及研發(fā)與全面生產(chǎn)之間的兼容性；敏捷處理和轉(zhuǎn)換重組；遠(yuǎn)程技術(shù)支持和SECS / GEM兼容性；臺(tái)式或帶防震花崗巖臺(tái)的單機(jī)版。

附加功能：鍵對(duì)齊    紅外對(duì)準(zhǔn)     納米壓印光刻（NIL）；

技術(shù)數(shù)據(jù)：

曝光源：汞光源/紫外線LED光源

**的對(duì)齊功能：手動(dòng)對(duì)準(zhǔn)/原位對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證 ；自動(dòng)對(duì)齊；動(dòng)態(tài)對(duì)齊/自動(dòng)邊緣對(duì)齊 

對(duì)準(zhǔn)偏移校正算法：通量；

全自動(dòng)：第一批生產(chǎn)量：每小時(shí)180片

全自動(dòng)：吞吐量對(duì)齊：每小時(shí)140片晶圓

晶圓直徑（基板尺寸）：高達(dá)200毫米

對(duì)齊方式：上側(cè)對(duì)齊：≤±0.5 μm；底側(cè)對(duì)齊：≤±1,0 μm；紅外校準(zhǔn)：≤±2,0 μm /基板材料，具體取決于； 鍵對(duì)準(zhǔn)：≤±2,0 μm； NIL對(duì)準(zhǔn)：≤±3.0 μm

曝光設(shè)定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式

楔形補(bǔ)償：全自動(dòng)-SW控制；

曝光選項(xiàng)：間隔暴露/洪水暴露/扇區(qū)暴露

系統(tǒng)控制，操作系統(tǒng)：Windows；文件共享和備份解決方案/無(wú)限制配方和參數(shù)；多語(yǔ)言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR；實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程訪問，診斷和故障排除

工業(yè)自動(dòng)化功能：盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理

納米壓印光刻技術(shù)：SmartNIL?；