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西安易恩電氣科技有限公司

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分立器件IGBT,碳化硅MOS動態(tài)參數(shù)測試儀
點擊圖片查看原圖
產品: 瀏覽次數(shù):739分立器件IGBT,碳化硅MOS動態(tài)參數(shù)測試儀 
電流: 1500A
電壓: 3500V
單價: 188.00元/臺
最小起訂量: 1 臺
供貨總量: 100 臺
發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 90 天內發(fā)貨
有效期至: 長期有效
最后更新: 2022-09-27 16:19
  詢價
詳細信息
  • 加工定制:是
  • 類型:電參數(shù)測量儀
  • 型號:EN-AC1230
  • 測量范圍:IGBT,MOS,二極管,兼測SIC器件
  • 功率:380W
  • 頻率:50HZ
  • 重量:175KG
  • 尺寸:800x800x1800
  • 電源:220V

一、概述

EN-6500A分立器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是由西安易恩電氣科技有限公司自主研制、生產的半導體分立器件動態(tài)參數(shù)測試的專用設備,通過使用更換不同的測試工裝可以對不同封裝的半導體器件進行非破壞性瞬態(tài)測試,通過軟件切換可以對不同器件進行動態(tài)參數(shù)測試??捎糜诳旎謴投O管、雙極型三極管、IGBT、MOSFET的測試。測試原理符合國軍標,系統(tǒng)集成度高,性能穩(wěn)定,具有升級擴展?jié)撃芎土己玫娜藱C交互。

該設備具有如下特點:

1、該試驗臺是一套大電流、高電壓的測試設備,電流**可擴展至8000kA,電壓**可擴展至10kV,對設備的電氣性能要求高。

3、該試驗臺的測試控制完全采用自動控制,測試可按測試員設定的程序進行自動測試。

4、該試驗臺采用計算機記錄測試結果,并可將測試結果轉化為EXCEL文件進行處理。

5、該套測試設備主要由以下幾個單元組成:

?  開關特性測試單元

?  反向恢復測試單元

?  柵極電荷測試單元

?  安全工作區(qū)測試系統(tǒng)

?  結電容測試單元

?  柵極內阻測試單元

?  雪崩耐量測試單元

二、技術條件

2.1、功能范圍:

可對各類型二極管、雙極型晶體管、場效應晶體管等報道提分立器件的各項動態(tài)參數(shù)如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關斷延遲時間、開通損耗、關斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復時間、反向恢復充電電量、反向恢復電流、反向恢復損耗、反向恢復電流變化率、反向恢復電壓變化率、集電極短路電流、輸入電容、輸出電容、反向轉移電容、柵極串聯(lián)等效電阻、雪崩耐量進行測試。

2.2、環(huán)境要求

1、環(huán)境溫度:15—40℃

2、相對濕度:存放濕度不大于80%

3、大氣壓力:86Kpa—106Kpa

4、海拔高度:1000米以下

5、電網電壓:AC220V±10%無嚴重諧波

6、電網頻率:50Hz±1Hz

7、電源功率:20KW

8、供電電網功率因數(shù):>0.9

9、無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導電粉塵等空氣污染的損害。

2.3、主要技術指標:

設備技術指標要求如下:

1、開關時間:

漏極電壓測試范圍:5V-1200V分辨率1V;

漏極電流測試范圍:1A-200A,分辨率1A;

柵極驅動:±30V,分辨率0.1V;

**柵極電流:2A;

**脈沖電流:200A;

電源電壓(VDD):5V-100V,步進0.1V,

                   100V-1200V,步進1.0V。

脈沖寬度:0.1us-10us,步進0.1us;

時間測試精度:1ns;

感性負載:0.01mH-160mH程序控制,步進10uH;

阻性負載:1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω,程序控制,備用三個電阻,以便使用時選擇。

2、柵極電荷

驅動電流:0-2mA  分辨率0.01mA,

2-20mA 分辨率0.1mA;

柵極電壓:±30V,分辨率0.1V;

恒流源負載:1-25A,分辨率0.1A,

25-200A,分辨率1A;

漏極電壓:5-100V,步進0.1V,

100-1200V,步進1.0V。

3、反向恢復

正向電流:1A-25A,分辨率0.1A,

25A-200A,分辨率1A;

反向電壓:5v-100V,步進0.1V,

100V-1200V,步進1.0v;

反向恢復時間范圍:10ns-2μs;

反向恢復電荷范圍:1nC-100μC;

反向di/dt:1-10kA/us;

反向dv/dt:1-10kV/us。

4、反偏安全工作區(qū)

400A(2倍額定電流下,測試期間關斷電壓、電流)。

5、短路安全工作區(qū)

一次短路電流1000A;

脈沖寬度5us-10us,步進1us。

6、結電容

電容測試掃頻范圍:0.1MHz~4MHz;

漏源極電壓:200V,分辨率1V。

7、柵極電阻

柵極電阻范圍: 0.1~50ohm;分辨率0.1Ω;

漏極偏置電壓: 0~1200V;

柵極偏置: ±20V。

8、雪崩耐量

**雪崩擊穿電壓≥2000V;

雪崩電流:200A;

感性負載:0.01mH~100mH連續(xù)可調,步進10μH;

可測試單次雪崩、重復雪崩。

9、雜散電感

設備內部雜散電感小于100nH。

10、加熱裝置

溫度調節(jié)范圍:室溫-150℃,分辨率0.1℃;

溫度可控,控制精度±1℃;

加熱板隔離電壓大于3kV;

11、操作系統(tǒng)

機箱:4U 15槽上架式機箱;

CPU: INTEL雙核;

主板:研華SIMB;

硬盤:500G;內存4G;

集成VGA顯示接口、4個PCI接口、2個串口、6個USB接口等;

歐姆龍PLC邏輯控制。

12、數(shù)據(jù)***

示波器:帶寬不低于500MHz,采樣率不低于2.5Gs/s;

高壓探頭:滿足動態(tài)參數(shù)測試需求;

電流探頭:滿足動態(tài)參數(shù)測試需求;

狀態(tài)監(jiān)測:NI數(shù)據(jù)***卡;

上位機:基于Labview人機界面;


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