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IGBT、MOS等是廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代中、大功率變換器中的主流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。其中，城市軌道交通車(chē)輛的牽引逆變器、輔助逆變器等重要電氣設(shè)備中，大量使用了IGBT、MOS等器件，其各種靜態(tài)參數(shù)的測(cè)試為使用者可靠選擇器件提供了非常直觀的參考依據(jù)，因此在實(shí)踐中能準(zhǔn)確測(cè)量各種靜態(tài)參數(shù)具有極其重要的實(shí)際意義。

半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀，是針對(duì)IGBT、MOS等器件的各種靜態(tài)參數(shù)而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的一套全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)。

該測(cè)試系統(tǒng)具有如下特點(diǎn)：

該測(cè)試系統(tǒng)是一套綜合參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，對(duì)設(shè)備自身的抗干擾能力要求較高，因此難度比較大；

該測(cè)試系統(tǒng)完全采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試；

該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL 文件進(jìn)行處理。

該測(cè)試系統(tǒng)主要由以下部分組成：

u 柵極-發(fā)射極漏電流測(cè)試單元

u 柵極-發(fā)射極閾值電壓測(cè)試單元

u 門(mén)極-發(fā)射極間電壓測(cè)試單元

u 集電極-發(fā)射極電壓測(cè)試單元

u 集電極-發(fā)射極飽和電壓測(cè)試單元

u 二極管壓降測(cè)試單元

u 二極管反向擊穿電壓測(cè)試單元

MOSFET導(dǎo)通電阻測(cè)試單元