企業(yè)特殊行業(yè)經(jīng)營資質(zhì)信息公示
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高純鎢靶和高純鎢鈦合金靶、鎢硅復(fù)合靶材通常被施以磁控濺射的方式制作各種復(fù)雜和高性能的薄膜材料。由于高純鎢或超純鎢（5 N或6 N）具有對電子遷移的高電阻、高溫穩(wěn)定性以及能形成穩(wěn)定的硅化物，在電子工業(yè)中常以薄膜形式用作柵極、連接、過渡和障礙金屬。高純鎢及其硅化物還用于大規(guī)模集成電路作為電阻層、擴散阻擋層等以及在金屬氧化物半導(dǎo)體型晶體管中作為門材料及連接材料等。鎢鈦合金濺射靶材常用于制作薄膜系太陽能電池的過渡金屬層。
規(guī)格描述
名稱 | 分子式 | 規(guī)格 | 尺寸 | 相對密度 | 晶粒度 | 缺陷率 | |
純鎢靶 | W | 4N（99.99%） | 英寸 | 毫米 | ≥99% | ≯50μm | 0 |
5N（99.999%） | D（6,8,10,12） H（0.25,0.5,0.75） | 徑150～350 厚度6～25 | |||||
鎢鈦靶 | WTi10 | 4N（99.99%） | ≥99% | ≯50μm | 0 | ||
4N5（99.995%） | |||||||
根據(jù)使用目的不同，對高純鎢靶和鎢鈦靶雜質(zhì)含量有不同要求，一般要求化學(xué)純度在99.99%～99.999%之間，我們也可根據(jù)用戶要求特別定制適合應(yīng)用的其它規(guī)格。
