回收全新音頻解碼芯片 回收SMT貼片電子料ddr4較以往不同的是改采vddq的終端電阻設(shè)計(jì)，v- 目前計(jì)劃中的傳輸速率進(jìn)展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133傳輸速率快了50 ，將來不排除直達(dá)4，266mbps；bank數(shù)也大幅增加到16個(gè)（x4/x8）或8個(gè)（x16/32），這使得采x8設(shè)計(jì)的單一ddr4存儲(chǔ)器模組，容量就可達(dá)到16gb容量。

　　而ddr4運(yùn)作電壓僅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v還低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v還要低，再加上ddr4一次支援 省電技術(shù)（deep power down），進(jìn)入休眠模式時(shí)無須更新存儲(chǔ)器，或僅直接更新dimm上的單一存儲(chǔ)器顆粒，減少35 ~50 的待機(jī)功耗。

　　將來邁入20 制程時(shí)，會(huì)導(dǎo)入3d立體堆疊加矽鉆孔（3d stacks+tsv）封裝技術(shù)，以及針對繪圖芯片、移動(dòng)設(shè)備提出低腳位數(shù)的wide i/o，來提升dram存儲(chǔ)器單位容量與頻寬。

　　英特爾將分別把ddr4規(guī)格導(dǎo)入伺服器／工作站平臺(tái)，以及桌上型電腦平臺(tái)（high-end desktop；hedt）。前者是伺服器處理器xeon e5-2600處理器（代號haswell-ep），搭配的ddr4存儲(chǔ)器為2，133mbps（ddr4-2133）；后者則是預(yù)定 三季推出的8***intel core i7 extreme edition處理器，同樣搭配ddr4-2133存儲(chǔ)器，以及支援14組usb 3.0、10組sata6gbps的x99芯片組，成為2014 4季至2015年上半年英特爾***的桌上型電腦平臺(tái)組合。

　　而超微（amd）下一代apu（代號carrizo）已***至2015年登場，但其存儲(chǔ)器支援性仍停留在ddr3。至于移動(dòng)設(shè)備部份，安謀（arm）針對伺服器市場打造的64位元cortex-a57處理器***，已預(yù)留對ddr4存儲(chǔ)器支援，而 三方ip供應(yīng)商也提供了相關(guān)的ddr4 phy ip。

　　三星于2013年底量產(chǎn)20 制程的4gb存儲(chǔ)器顆粒，將32gb的存儲(chǔ)器推向伺服器市場；2014年1月推出移動(dòng)設(shè)備用的低功耗ddr4（lp-ddr4）。sk海力士在2014年4月借助矽鉆孔（tsv）技術(shù)，開發(fā)出單一ddr4芯片外觀、容量達(dá)128gb。市場預(yù)料ddr4將與ddr3（ddr3l、lp-ddr3）等共存一段時(shí)間，預(yù)計(jì)到2016年才會(huì)***ddr3而成為市場主流。

v- 在一些非揮發(fā)性存儲(chǔ)器如相變存儲(chǔ)器（phase-change memory；pcm）、磁阻存儲(chǔ)器（ resistive memory；m-ram）、電阻存儲(chǔ)器（resistive memory；rram）等技術(shù)已蓄勢待發(fā)、即將邁向商業(yè)量產(chǎn)門檻之際，ddr4將可能是末代的ddr存儲(chǔ)器，屆時(shí)電腦與軟體結(jié)構(gòu)將會(huì)出現(xiàn) 為劇烈的變動(dòng)。

　　nand flash逼近制程物理以提升容量密度

　　以浮閘式（floating gate）半導(dǎo)體電路所設(shè)計(jì)的nand flash非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，隨著flash制程技術(shù)不斷進(jìn)化、單位容量成本不斷下降的情況下，已經(jīng)在智慧手機(jī)、嵌入式裝置與工控應(yīng)用上大量普及。

　　micron自家市場統(tǒng)計(jì)預(yù)測指出，從2012到2016年總體nand flash容量應(yīng)用的年復(fù)合成長率可達(dá)51 。2013年，美光（micron）與sk hynix兩家晶圓廠，先后發(fā)表16nm制程的nand flash存儲(chǔ)器技術(shù)，而東芝（toshiba）則在2014年直接跨入15nm制程，并推出相關(guān)nand flash存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品。

　　nand flash傳輸速率，從2010年onfi 2.0的133mb/s，emmc v4.41的104mb/s；到2011年onfi v2.2/toggle 1.0規(guī)格，傳輸速率提升到200mb/s，emmc v4.5拉高到200mb/s，ufs 1.0傳輸速率為2.9gbps；2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s，ufs v2.0傳輸速率倍增為5.8gbps；預(yù)估到2015年，onfi v4.x/toggle v2.xx規(guī)格定義的傳輸速率增到800mb/s、1.6gb/s。

　　隨著nand flash制程進(jìn)步與線路寬度與間距的微縮，連帶影響到抹寫次數(shù)（p/e cycles）的縮減。slc存儲(chǔ)器從3x 制程的100，000次p/e cycles、4個(gè)ecc bit到2x 制程降為60，000 p/e、ecc 24bit。mlc從早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程時(shí)已降為3，000 p/e、24~40個(gè)ecc bit。

　　有廠商提出，eslc、islc的存儲(chǔ)器解決方案，以運(yùn)用既有的低成本的mlc存儲(chǔ)器，在單一細(xì)胞電路單元使用slc讀寫技術(shù)（只儲(chǔ)存單一位元的電荷值），抹寫***度提升到30，000次p/e，成本雖比mlc高，但性價(jià)比遠(yuǎn)于slc，可應(yīng)用在ipc／kiosk／pos系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、伺服器主機(jī)板以及薄型終端機(jī)等。