中科君芯JFG14N40B ‌40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET‌是種特定的功率場效應晶體管（MOSFET）主要應用在電池管理 、系統(tǒng)與電源管理，MOSFET由于其低導通電阻、大電流能力和邏輯電平驅動的特性，特別適用于需要高效、大電流驅動的電路，如汽車電子、工業(yè)控制等領域‌。其關鍵參數(shù)和特性如下：

功能特性：

設備額定電壓VDS:=40V,連續(xù)工作時漏極電流上限 ID = 150A

導通電阻=2.7mΩ (typ.) 柵源電壓= 10V, 漏極電流 = 20A

•專有高密度溝槽技術

符合RoHS和無鹵素 （不含鹵素或鹵素含量極低的材料或產(chǎn)品）

封裝：TO-220-3L

電氣特性：

‌VDS（Drain-Source Voltage）‌：40V

‌VGS（Gate-Source Voltage）‌：±20V

‌ID（Continuous Drain Current）‌：Tc=25°對應漏極電流上限150A,Tc=100°對應漏極電流上限值95A

‌IDM（Pulsed Drain Current）：600A

PD（Total Power Dissipation）‌：TC = 25℃ 對應1.4W,TA = 25℃對應2.15W

EAS單脈沖雪崩能量:150mJ

RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)熱阻:58C\W

RθJC:結到殼的熱阻:1.2°C\W

‌TJ‌\TSTG‌:-55 to +150°C

除非另有說明，TC=25℃

————其他詳細參數(shù)請聯(lián)系深圳市泰凌微電子有限公司團隊————————————