中科君芯JFG105N100L 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ‌是一種電子元件，主要用于電池管理系統(tǒng)和電源管理、消費(fèi)適配器、電子工具和DC/DC 轉(zhuǎn)換器。其工作原理基于增強(qiáng)型MOSFET（metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的導(dǎo)電通道，從而實(shí)現(xiàn)電流的控制。

功能特性：

• 設(shè)備額定電壓VDS:=30V,連續(xù)工作時(shí)漏極電流上限 ID = 8A

• 導(dǎo)通電阻=15mΩ (typ.) 柵源電壓= 10V, 漏極電流 = 8A

導(dǎo)通電阻=25mΩ (typ.) 柵源電壓= 4.5V, 漏極電流 = 6A

• 專有高密度溝槽技術(shù)

•環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)‌：符合RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無鉛封裝，環(huán)保性能良好，不含鹵素或鹵素含量極低

封裝：SOP-8L

參數(shù)：

‌VDS（Drain-Source Voltage）‌：30V

‌VGS（Gate-Source Voltage）‌：±20V

‌ID（Continuous Drain Current）‌：Tc=25°對應(yīng)漏極電流上限8.9A,Tc=70°對應(yīng)漏極電流上限值7.1A

‌IDM（Pulsed Drain Current）：64A

PD（Total Power Dissipation）‌：TC = 25℃ 對應(yīng)2.15W,TA = 70℃對應(yīng)0.86W

EAS單脈沖雪崩能量:8mJ

RθJA熱阻:58°C\W

RθJL:結(jié)到殼的熱阻:20°C\W

‌TJ‌\TSTG‌:-55 to +150°C

注：電氣特性 除非另有說明，TC=25℃