一、物料概述
ESN4485是P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。采用**的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),以低柵極電荷提供出色的RDS(ON)。該裝置適用于直流-直流轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品ESN4485不含鉛。
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二、功能特征
1、-40V,RDS(ON)=13 mΩ(Typ),VGS=-10V
? ? ? ? ? ? RDS(ON)=17 mΩ(Typ),VGS=-4.5V
2、快速切換
3、低RDS的高密度電池設(shè)計(jì)(開)
4、材料:無鹵素
5、可靠且堅(jiān)固
6、雪崩額定值
7、低泄漏電流
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三、應(yīng)用
1、PWM應(yīng)用
2、負(fù)載開關(guān)
3、便攜式/臺式電腦的電源管理
4、DC/DC轉(zhuǎn)換
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