LEEG單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器，單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面，實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離，玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力，可應(yīng)對復(fù)雜的化學(xué)場合和機(jī)械負(fù)荷，同時(shí)具備較強(qiáng)的抗電磁干擾能力，適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力、液位或流量測量應(yīng)用