企業(yè)特殊行業(yè)經(jīng)營資質(zhì)信息公示
點(diǎn)擊圖片查看原圖STEK系列KTP普克爾盒
STEK-PCK KTP普克爾盒是用特殊生長的高電阻率KTP晶體制成的新產(chǎn)品系列。KTP晶體比RTP晶體具有更好的光學(xué)均勻性和更高的損傷閾值。其突出特點(diǎn)是可以在高占空比下運(yùn)行KTP開關(guān)的同時還可時長時間保持高電壓。
主要應(yīng)用
- 高重復(fù)率激光器1 kHz-1 MHz的調(diào)Q
- 高重復(fù)率激光器的脈沖選擇器
主要特點(diǎn)
- 相較于雙BBO普克爾盒電池電壓要求小兩倍
- 高占空比運(yùn)行
- 極低的壓電共振
- 標(biāo)準(zhǔn)通光孔徑：4x4、6x6和8x8 mm
| 型號 | STEK-PCK4 | STEK-PCK4-O | STEK-PCK6 | STEK-PCK6-O |
| 通光孔徑, mm | 3.5 | 3.5 | 5.5 | 3.5 |
| 晶體尺寸 (寬x高x長), mm | 4x4x10 | 4x4x10 | 6x6x10 | 4x4x10 |
| 晶體數(shù)量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 半波電壓 (@ 1064 nm), kV DC | <1.8 | <1.8 | <2.5 | <1.8 |
| 電容, pF | 4 | 4 | <6 | 4 |
| 光通過率, % | >98 | >98 | >98 | >98 |
| 對比率 | >1:500 | >1:500 | >1:500 | >1:500 |
| 外形尺寸, mm | ?25.4x42.2 | 25x11.1x7.5 | ?25.4x42.2 | 25x13.8x10.6 |
STEK系列KD*P普克爾盒
普克爾盒的作用是在KD*P等電光晶體的電極上施壓用來改變通過這些晶體的的光的偏振態(tài)。當(dāng)它與偏振器一起使用時，普克爾盒可以用作快速關(guān)斷開關(guān)。典型應(yīng)用包括激光腔的調(diào)Q，實(shí)現(xiàn)激光腔倒空將光注入或從再生放大器中耦合出來。KD*P普克爾盒通常用于400～1.1μm的調(diào)Q應(yīng)用。市面大多數(shù)燈泵浦Nd:YAG激光器和低重復(fù)率半導(dǎo)體Nd:YAG激光器的激光腔調(diào)Q開關(guān)都是使用KD*P普克爾盒。所有的電光KD*P晶體都鍍有高損傷閾值A(chǔ)R膜層。此外，STEK-PC12SR和STEK-D-compact系列的普克爾盒還特有AR鍍膜窗口，可以保護(hù)和提高此產(chǎn)品在不太好的環(huán)境中的使用壽命。
主要特點(diǎn)
- 價格經(jīng)濟(jì)
- 結(jié)構(gòu)緊湊
- 低光吸收
- 光傳輸范圍400-1100nm
主要應(yīng)用
- 激光腔調(diào)Q
- 激光腔倒空
| 產(chǎn)品型號 | STEK-PC5S | STEK-PC5D | STEK-PC10S | STEK-D-Compact/ 9 | STEK-D-Compact/12 |
| 通光孔徑, mm | 4.5x4.5 | 4.5x4.5 | 9.5x9.5 | ?8 | ?11 |
| 晶體尺寸 (寬x高x長)mm | 5x5x16 | 5x5x16 | 10x10x25 | ?9x20 | ?12x24 |
| 晶體數(shù)量 | 1 | 2 | 1 | 1 | 1 |
| λ/2 半波電壓 1064nm, kV DC | <6.5 | <3.4 | <6.8 | <6.8 | <6.8 |
| 電容, pF | 1.5 | 3 | 4 | 6 | 6 |
| 光通過率, % | >97 | >97 | >97 | >97 | >97 |
| 對比度1) | > 1:2000 | >1:1000 | >1:2000 | >1:2000 | >1:2000 |
| 尺寸, mm | 18x14x25 | 23x16x52 | 22x18x33 | ?25.4x35 | ?25.4x39 |
1) 交叉極化法測量。所有的晶體鍍鏌層 AR/AR@1064 nm. 可根據(jù)客戶要求提供其他鍍膜，損傷閾值>5 J/cm2，1064 nm， 10ns
| 產(chǎn)品型號 | STEK-PC12SR | STEK-PCR12SR-532 | STEK-PCR12SR-694 |
| 通光孔徑, mm | ? 11 | ? 11 | ? 11 |
| 晶體尺寸 (寬x高x長)mm | ? 12x24 | ? 12x24 | ? 12x24 |
| 晶體數(shù)量 | 1 | 1 | 1 |
| λ/2 半波電壓 1064nm, kV DC | @1064 nm <6.8 kV DC | @532 nm <3.5 kV DC | @694 nm <4.5 kV DC |
| 電容, pF | 6 | 6 | 6 |
| 光通過率, % | >97 | >96 | >97 |
| 對比度1) | >1:2000 | >1:2000 | >1:2000 |
| 尺寸, mm | ? 35 x 41.4 | ? 35 x 41.4 | ? 35 x 41.4 |
交叉極化法測量
STEK系列BBO普克爾盒
此系列普克爾盒是在BBO等電光晶體的電極上施壓用來改變通過這些晶體的的光的偏振態(tài)。當(dāng)與偏振器一起使用時，它可以用作快速關(guān)斷開關(guān)。典型應(yīng)用包括激光腔的調(diào)Q，實(shí)現(xiàn)激光腔倒空將光注入或從再生放大器中耦合出來。BBO普克爾盒通常用在從紫外到2μm以上的波長范圍。PCB系列的普克爾盒是橫向磁場器件。BBO電光系數(shù)低，工作電壓高。四分之一波電壓與電極間距和晶體長度的比值成正比。因此，小通光孔徑的普克爾合的四分之一波電壓也較低。對于通光孔徑達(dá)到2.5mm的普克爾盒 ，其四分之一波電壓高達(dá)4kv@1064nm。此產(chǎn)品采用雙晶體設(shè)計以降低所需電壓，并可在半波模式下快速切換。
主要特點(diǎn)
- 減小壓電振鈴
- 低吸收
- 陶瓷孔徑
- 200 nm~ 2000 nm傳輸范圍
- 結(jié)構(gòu)緊湊
主要應(yīng)用
- 高重復(fù)頻率的半導(dǎo)體Q開關(guān)
- 高重復(fù)頻率的再生放大器控制
- 腔倒空
- 束流脈沖調(diào)制
| 產(chǎn)品型號 | STEK-PCB3S | STEK-PCB3D | STEK-PCB3S/25 | STEK-PCB3D/25 | STEK-PCB4S | STEK-PCB4D |
| 通光孔徑, mm | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 3.5 | 3.5 |
| 晶體尺寸 (寬x高x長), mm | 3x3x20 | 3x3x20 | 3x3x25 | 3x3x25 | 4x4x20 | 4x4x20 |
| 晶體數(shù)量 | 1 | 2 | 1 | 2 | 1 | 2 |
| 1/4波電壓 (@ 1064nm), kVDC | <3.5 | <1.8 | <3.0 | <1.5 | <4.6 | <2.3 |
| 電容, pF | 4 | 6 | 4 | 6 | 3 | 6 |
| 光通過率, % | >98 | >98 | >98 | >98 | >98 | >98 |
| 對比度1) | >1:1000 | >1:500 | >1:1000 | >1:500 | >1:1000 | >1:500 |
| 尺寸, mm | ?25.4x37.2 | ?25.4x57.2 | ?25.4x42.2 | ?25.4x67.2 | ?25.4x37.2 | ?25.4x57.2 |
所有的晶體鍍鏌層 AR/AR@1064 nm. 可根據(jù)客戶要求提供其他鍍膜，損傷閾值>5 J/cm2，1064 nm， 10ns
| 產(chǎn)品型號 | STEK-PCB3S-1342 | STEK-PCB3D-800 | STEK-PCB3S-532 |
| 通光孔徑, mm | 2.5 | 2.5 | 2.5 |
| 晶體尺寸 (寬x高x長) mm | 3x3x20 | 3x3x20 | 4x4x20 |
| 晶體數(shù)量 | 2 | 1 | 1 |
| 四分之一波電壓, kVDC | <2.4 | <2.6 | <2.25 |
| 波長, nm | 1342 | 800 | 532 |
| 電容, pF | 4 | 6 | 4 |
| 光通過率, % | >98 | >98 | >98 |
| 對比度1) | >1:500 | >1:1000 | >1:1000 |
| 尺寸, mm | ?25.4x57.2 | ?25.4x37.2 | ?25.4x37.2 |
1) 交叉極化法測量
