IGBT

(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵

雙極型晶體管

，是由BJT(雙極型

三極管

)和MOS(

絕緣柵型場效應(yīng)管

)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體

器件

, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流

密度

大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動

功率

小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于

直流電壓

為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、

開關(guān)電源

、照明電路、

牽引

傳動等領(lǐng)域。

IGBT模塊

是由IGBT（絕緣柵

雙極型晶體管

芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上；

IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點；當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見；

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。

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