晶間腐蝕 晶間腐蝕：金屬材料在特定的腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的一種局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的交界。由于晶粒有著不同的位向，故交界處原子的排列必須從一種位向逐步過渡到另一種位向。因此，晶界實際上是種“面型”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。晶界上原子的平均能量因晶格畸變變大而高于晶粒內(nèi)部原子的平均能量。所高出的這部分能量稱為晶界能。純金屬的晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速度比晶粒本體的腐蝕速度快，原因在于晶界的能量較高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。

特征 晶間腐蝕的特征是在金屬表面還看不出破壞時，晶粒之間已喪失了結(jié)合力，也失去了金屬的清脆聲，嚴重時只要輕輕敲打就會破碎成粉末。   產(chǎn)生晶間腐蝕的條件： 1、金屬或合金中含有雜質(zhì)，或者有第二相沿晶界析出。 2、晶界與晶粒內(nèi)化學成分的差異，在適宜的介質(zhì)中形成腐蝕的電池，晶界為陽極，晶粒為陰極，晶界產(chǎn)生選擇性溶解。 3、有特定的腐蝕介質(zhì)存在。 在某些合金-介質(zhì)體系中，往往產(chǎn)生嚴重的晶間腐蝕。例如奧氏體不銹鋼在弱氧化性介質(zhì)（如充氣海水）或強氧化性介質(zhì)（如濃硝酸）的特定腐蝕介質(zhì)中，可能產(chǎn)生嚴重的晶間腐蝕。 

腐蝕機理 1、貧化理論： 該理論認為，晶間腐蝕是由于晶界易析出第二相，造成晶界某一成分的貧乏化。 （1）對于奧氏體不銹鋼，因晶界析出Cr23C6相，造成晶界貧鉻，則為貧鉻理論； （2）對于鎳鉬合金，晶界析出Ni7Mo5，晶界貧鉬； （3）對于銅鋁合金，晶界析出CuAl2，造成晶界貧銅。  

2、晶間σ相析出理論： 對于低碳的高鉻、高鉬不銹鋼已不存在貧鉻的條件，可是在650~850℃內(nèi)熱處理時，會生成含鉻42~48%的σ相FeCr金屬間化合物。在過鈍化電位下，相發(fā)生嚴重的腐蝕。其陽極溶解電流急劇地上升?？赡苁铅蚁嘧陨淼倪x擇性溶解的緣故。 σ相FeCr金屬間化合物一般只能在很強的氧化性介質(zhì)中才能發(fā)生溶解。因而檢測這種類型的腐蝕必須使用氧化性很強的65%的沸騰硝酸，才能夠使不銹鋼的腐蝕電位達到過鈍化區(qū)。   3、晶界吸附理論： 超低碳不銹鋼在1050℃固溶處理后，在強氧化性介質(zhì)中也會出現(xiàn)晶間腐蝕，此時不能用貧鉻或σ相析出理論來解釋。實驗表明，P雜質(zhì)達100ppm或Si雜質(zhì)達1000~ 2000ppm時，它們在高溫區(qū)會使晶界吸附，并偏析在晶界上，這些雜質(zhì)在強氧化劑介質(zhì)作用下便發(fā)生溶解，導致晶界選擇性的晶間腐蝕。這種鋼經(jīng)敏化處理后，反而不出現(xiàn)晶間腐蝕，這是由于碳和磷生成磷的碳化物，限制了磷向晶界的擴散，減輕雜質(zhì)在晶界的偏析，消除或減弱了剛才對晶間腐蝕的敏感性。 上述幾種晶間腐蝕理論并不矛盾，他們各自適用于一定的合金組織狀態(tài)和介質(zhì)條件。貧化理論適用于弱氧化性介質(zhì)，晶間σ相析出理論適用于強氧化劑介質(zhì)、金相中有σ相的高鉻、高鉬不銹鋼，晶界吸附理論適用于強氧化劑介質(zhì)。   影響因素 1、熱處理溫度與時間的影響：不銹鋼在能夠產(chǎn)生晶間腐蝕的電位區(qū)，是否產(chǎn)生晶間腐蝕以及腐蝕程度如何，都由鋼的熱處理制度對晶間腐蝕的敏感性所決定，即取決于受熱的程度、時間及冷卻速度。     750℃以上，析出不連續(xù)顆粒，Cr擴散也容易，不產(chǎn)生晶間腐蝕。 600-700℃之間，析出網(wǎng)狀Cr23C6，晶間腐蝕**嚴重的。 600℃以下，Cr、C擴散緩慢，需更長時間形成碳化物，腐蝕減弱。 低于450℃：難于晶間腐蝕。