公司12年來(lái)共研制開(kāi)發(fā)出40余項(xiàng)半導(dǎo)體化合物材料： 碲系化合物： 碲化銅(CuTe)，碲化銦( InTe)，碲化鋅(ZnTe)，P/N三碲化二鉍(Bi2Te3)，二氧化碲(TeO2)... 硫系化合物： 三硫化二鎵(Ga2S3)，二硫化鍺(GeS2)，硫化鋅(ZnS)，硫化錫(SnS)，三硫化二銦(In2S3)，硫化亞銅（Cu2S）... 無(wú)氧硒及硒系化合物: 三硒化二鎵(Ga2Se3)，硒化亞銅(Cu2Se)，三硒化二銦(In2Se3)，硒化鋅(ZnSe)，硒化鉍(Bi2Se3)... 氯系化合物： 無(wú)水三氯化銦(InCl3)，無(wú)水三氯化鎵(GaCl3)，無(wú)水氯化亞銦(InCl)... 氧系化合物： 4N-5N三氧化二鎵(Ga2O3)，4N-5N氧化鋅(ZnO)，5N-6N 三氧化二銦(In2O3)，5N 三氧化二鉍(Bi2O3)，4N-5N 三氧化二銻（Sb2O3）... 銅銦鎵硒（CIGS）系列材料. 靶材：氧化鋅靶，氧化鋅鋁靶，銅銦鎵硒靶，三硒化二銦靶，硒化亞銅靶材... 公司現(xiàn)有工藝及設(shè)備： 1，電解裝置4套：回收電解銅，電解鉛鋅礦的陽(yáng)極泥；高純銦的電解，特別是除去里面的雜質(zhì)錫。 2，真空蒸餾裝置12套：根據(jù)雜質(zhì)不同的飽和蒸氣壓，采用真空蒸餾的方法將其去除。 3，區(qū)域熔煉爐10套。 4，單間提拉爐12套。 5，CVD 化學(xué)氣相沉積設(shè)備3套。 6，PVD裝置2套。 7，真空熔煉爐15套。 8，THM 移動(dòng)式加熱設(shè)備。 9，氯化爐3套（... [詳細(xì)介紹]