設(shè)備簡介：

?三溫區(qū)PECVD系統(tǒng)，即等離子體增強化學(xué)氣相沉積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）系統(tǒng)，是一種**的薄膜沉積技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、微電子、光電子、太陽能等領(lǐng)域。該系統(tǒng)通過射頻電源將石英真空室內(nèi)的氣體轉(zhuǎn)變?yōu)殡x子態(tài)，利用等離子體中的高能電子激活反應(yīng)氣體，使其在較低的溫度下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而在基材上沉積出所需的薄膜。

設(shè)備特點：

? 1、溫度控制**：三溫區(qū)設(shè)計使得系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)更**的溫度控制，滿足不同材料和工藝對溫度的需求。通過三個PID溫度控制器，可以分別控制不同區(qū)域的溫度，確保整個沉積過程在理想的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。

? 2、沉積速度快：相比傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)，PECVD系統(tǒng)具有更高的沉積速率。這主要得益于等離子體的作用，使得反應(yīng)氣體在較低的溫度下就能發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而加快了沉積速度。

膜層均勻性好：通過射頻電源的頻率控制，可以**調(diào)節(jié)所沉積薄膜的應(yīng)力大小，從而保證膜層的均勻性和一致性。這種**控制對于制備高質(zhì)量、高性能的薄膜材料至關(guān)重要。

? 3、操作穩(wěn)定性高：三溫區(qū)PECVD系統(tǒng)采用**的真空系統(tǒng)和多通道質(zhì)子混氣系統(tǒng)，確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。在長時間運行過程中，系統(tǒng)能夠保持穩(wěn)定的沉積速率和膜層質(zhì)量，滿足大規(guī)模生產(chǎn)的需求。

? 4、應(yīng)用廣泛：該系統(tǒng)可廣泛應(yīng)用于生長納米線、石墨烯及薄膜材料等領(lǐng)域。例如，在太陽能電池領(lǐng)域，PECVD技術(shù)被用于制備高質(zhì)量的硅基薄膜太陽能電池；在微電子領(lǐng)域，PECVD技術(shù)被用于制備各種薄膜材料，如SiO2、SiNx等。

服務(wù)支持：一年有限保修，提供終身支持。