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SKM200GB12T4

發(fā)布時(shí)間：2019-07-31 瀏覽次數(shù)：42 返回列表

SKM200GB12T4

產(chǎn)品概述SKM200GB12T4是一個(gè)SemiTrans?3快速IGBT模塊，用于交流逆變器驅(qū)動(dòng)器和UPS。它具有使用DBC技術(shù)（直接結(jié)合銅）的絕緣銅基板和增強(qiáng)的功率循環(huán)能力。半橋開(kāi)關(guān)IGBT4=4代中速溝道IGBT（英飛凌）CAL4=軟開(kāi)關(guān)第4代Cal二極管集成柵電阻對(duì)于高達(dá)12kHz的開(kāi)關(guān)頻率電源管理，維護(hù)與修理產(chǎn)品信息結(jié)晶體管極性：雙N溝道集電極直流電流：313A集電極發(fā)射飽和電壓，

VCE:1.8V功率pd:—集電極發(fā)射電壓，VCEO:1.2kV結(jié)晶體管封類型：

模塊針腳數(shù)：7引腳工作溫度*值：175°C產(chǎn)品范圍：查找類似產(chǎn)品選擇并修改以上屬性即可以查找類似產(chǎn)品。SKM200GB12T4的替代之選SKM200GB12V型SKM200GB12V型2423695個(gè)賽米控結(jié)晶管，IGBT列和模塊，雙N溝道，311A，1.75V，1.2kV，模塊FF200R12KT4HOSA1FF200R12KT4HOSA12377249個(gè)英飛凌結(jié)晶管，IGBT列和模塊，雙NPN，320 A，1.75 V，1.1 kw，1.2 kv，模塊FF200R12KE3HOSA1FF200R12KE3HOSA12726122個(gè)英飛凌