集成電路使用高低溫試驗(yàn)箱

隨著數(shù)字經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，集成電路工藝在尺寸、集成度、性能等方面都有了長(zhǎng)足的進(jìn)步。為降低成本、提高性能，新材料、新工藝、新器件結(jié)構(gòu)被廣泛應(yīng)用于集成電路。這些新技術(shù)對(duì)保障和提升集成電路的可靠性提出了很大的挑戰(zhàn)。

按照目前普遍采用的**標(biāo)準(zhǔn)，一般電器的使用壽命應(yīng)超過(guò)10年。很明顯，我們不能把一款產(chǎn)品放在普通的情況下，10年后才能對(duì)該產(chǎn)品的可靠性進(jìn)行評(píng)判。為此，通常將試樣置于高壓、大電流、高濕度、高溫、大氣壓等環(huán)境中進(jìn)行試驗(yàn)，并基于其破壞機(jī)制及模型推斷其在常規(guī)環(huán)境中的使用壽命。

冷熱沖擊試驗(yàn)是用來(lái)測(cè)試材料結(jié)構(gòu)或復(fù)合材料在瞬間下經(jīng)高溫、低溫的連續(xù)環(huán)境下所能承受的程度，它適用于電工、電子產(chǎn)品、半導(dǎo)體、電子線(xiàn)路板、金屬材料等多種材料，它們?cè)跍囟葎×易兓沫h(huán)境下的適應(yīng)性。在開(kāi)發(fā)過(guò)程中，它可以用來(lái)找出產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造過(guò)程中存在的問(wèn)題，有時(shí)還可以用來(lái)篩查環(huán)境因素，排除早期失效。測(cè)試的嚴(yán)格程度由高、低、停留時(shí)間、變溫時(shí)間、周期等因素決定。 

宏展高低溫冷熱沖擊試驗(yàn)：High And Low Temperature Shock Test Chamber簡(jiǎn)介：本試驗(yàn)箱適用于考核產(chǎn)品（整機(jī)）、元器件、零部件等經(jīng)受溫度急劇變化的能力，該溫度沖擊試驗(yàn)?zāi)軌蛄私庠囼?yàn)樣品一次或連續(xù)多次因溫度變化而帶來(lái)的影響。影響溫度變化試驗(yàn)的主要參數(shù)為溫度變化范圍的高溫和低溫溫度值、樣品在高溫和低溫下的保持時(shí)間、以及試驗(yàn)的循環(huán)次數(shù)等因素。

高低溫沖擊試驗(yàn)箱 High And Low Temperature Shock Test Chamber技術(shù)參數(shù)：

高低溫冷熱沖擊試驗(yàn)TS2系列

性 能 參 數(shù)     ：

1.高溫室     溫度暴露范圍：+60～＋200℃、預(yù)熱溫度上限：200℃、升溫時(shí)間      ：R.T.→＋200℃約40min

2.低溫室     溫度暴露范圍：0～-75℃、 預(yù)冷溫度下限：-75℃、 降溫時(shí)間： R.T.→-70℃約60min

3.提籃  溫度范圍：-65～150℃、溫度波動(dòng)度：≤1℃（≤±0.5℃，按GB/T5170-1996表示）、溫度偏差：≤±2℃（-65℃～+150℃）

4.轉(zhuǎn)換時(shí)間：≤5S

5.溫度恢復(fù)時(shí)間 ≤5min

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