系統(tǒng)特征
序號 |
測試器件 |
01 |
二極管 |
02 |
晶體管NPN型/PNP型 |
03 |
J型場效應(yīng)管 |
04 |
MOS場效應(yīng)管 |
05 |
雙向可控硅 |
06 |
可控硅 |
07 |
lGBT |
08 |
硅觸發(fā)可控硅 |
09 |
達(dá)林頓陣列 |
10 |
金屬氧化物壓變電阻 |
12 |
固態(tài)過壓保護(hù)器 |
13 |
穩(wěn)壓、齊納二極管 |
規(guī)格/環(huán)境:
柵極發(fā)射極 |
VGES:0-40V |
分辨率0. 1V |
lGES:0.1-10Ua |
分辨率0.01uA |
|
Vce:0V |
? |
|
集電極發(fā)射極 |
Vces:100-3000v |
分辨率10V |
lces:100UA-5mA |
分辨率10uA |
|
Vge:0V |
Vge:0V |
|
柵極發(fā)射極閾值電壓 |
Vge(th):1-10V |
分辨率0lV |
集電極 發(fā)射極 飽和電壓 |
VCE(sat):02-5V |
分辨率0.01V |
lCE:10-100A |
分辨率1A |
|
二極管 |
VF:0-5V |
分辨率0.01V |
lF:0-100A |
分辨率1A |
|
Vge:0V |
? |
|
二極管反向** |
Vces:100-3000V |
分辨率10V |
lces; 100UA-5mA |
分辨率10uA |
?
?