碳化硅襯底片生產(chǎn)廠商 產(chǎn)品級碳化硅晶片工廠

蘇州恒邁瑞材料科技半絕緣型碳化硅襯底片厚度500um±25um，晶向為on axis <0001>±0.5°，產(chǎn)品尺寸有2英寸，3英寸，4英寸及6英寸。導(dǎo)電型碳化硅襯底片厚度350um±25um，晶向為Off axis:4.0°toward<1120>±0.5°。

碳化硅襯底是電力電子器件的理想襯底，具有低的開啟電阻、高的擊穿電壓、高的熱導(dǎo)率以及高的工作溫度。碳化硅襯底能夠降低開關(guān)損耗、降低冷卻需求，使得器件小型輕量化、提升系統(tǒng)整體性能。

在航空航天或軍事領(lǐng)域， 系統(tǒng)的工作條件極其惡劣。 從 80 年代末起， SiC 材料與器件的飛速發(fā)展。 由于 SiC 材料種類很多， 性質(zhì)各異， 它的應(yīng)用范圍十分廣泛。在大功率器件方面， 利用 SiC 材料可以制作的器件， 其電流特性、 電壓特性、和高頻特性等具有比 Si 材料更好的性質(zhì)。在高頻器件方面， SiC 高頻器件輸出功率更高， 且耐高溫和耐輻射輻射特性更好， 可用于通信電子系統(tǒng)等。在光電器件方面， 利用 SiC 不影響紅外輻射的性質(zhì)， 可將其用在紫外探測器上， 在 350℃的溫度檢測紅外背景下的紫外信號， 功率利用率 80%左右。在耐輻射方面， 一些 SiC 器件輻射環(huán)境惡劣的條件下使用如核反應(yīng)堆中應(yīng)用。高溫應(yīng)用方面， 利用 SiC 材料制備的器件工作溫度相當(dāng)?shù)馗撸?如 SiC MOSFET和 SiC 肖特基二極管可在 900k 下工作。