碳化硅襯底晶片生產(chǎn)廠家 4H-N碳化硅晶圓片

蘇州恒邁瑞材料科技主要生產(chǎn)供應(yīng)4英寸、6英寸4H N型導(dǎo)電碳化硅襯底片和4H半絕緣碳化硅襯底片，所生產(chǎn)的碳化硅襯底片產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于以新能源汽車(chē)、高速軌道交通、超高壓智能電網(wǎng)為代表的功率電子應(yīng)用領(lǐng)域和以5G通信、航空航天通信、相控陣?yán)走_(dá)等為代表的高頻射頻應(yīng)用領(lǐng)域。

碳化硅為第三代半導(dǎo)體的主要代表之一，擁有禁帶寬度大、器件極限工作溫度高、臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度大、熱導(dǎo)率等顯著的性能優(yōu)勢(shì)，在電動(dòng)汽車(chē)、電源、航天等領(lǐng)域備受歡迎，為眾多產(chǎn)業(yè)發(fā)展打開(kāi)了全新的應(yīng)用可能性，被行業(yè)寄予厚望。

碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物，目前已發(fā)現(xiàn)的碳化硅同質(zhì)異型晶體結(jié)構(gòu)有200多種，其中六方結(jié)構(gòu)的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子遷移率的優(yōu)勢(shì)，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，也是目前綜合性能好、商品化程度高、技術(shù)成熟的第三代半導(dǎo)體材料，與硅材料的物理性能對(duì)比，主要特性包括：（1）臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅材料近10倍；（2）熱導(dǎo)率高，超過(guò)硅材料的3倍；（3）飽和電子漂移速度高，是硅材料的2倍；（4）抗輻照和化學(xué)穩(wěn)定性好；（5）與硅材料一樣，可以直接采用熱氧化工藝在表面生長(zhǎng)二氧化硅絕緣層。