美國(guó) KRi 霍爾離子源 eH 400上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRi 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流 > 750 mA, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.KRi 霍爾離子源 eH 400 特性高離子束電流滿足沉積率的臨界到達(dá)比低離子能量通過避免高能離子對(duì)表面和界面的轟擊損傷而使產(chǎn)量更大化寬束, 發(fā)散離子束通過均勻地覆蓋沉積區(qū)從而增加每次加工零件數(shù)量來提高吞吐量堅(jiān)固耐用的模塊化結(jié)構(gòu)降低了備件耗材和維護(hù)時(shí)間, 減少維護(hù)成本和停機(jī)時(shí)間無柵網(wǎng), 緊湊設(shè)計(jì), 方便加裝, 提供離子輔助功能KRi 霍爾離子源 eH 400 技術(shù)參數(shù):

KRi 霍爾離子源 eH 400 應(yīng)用領(lǐng)域:電子束蒸發(fā), 磁控濺射中的 IBAD 輔助鍍膜沉積前的預(yù)清潔類金剛石碳涂層低能離子束蝕刻離子束濺射KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 典型案例:設(shè)備: 美國(guó)進(jìn)口 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)離子源型號(hào): EH 400應(yīng)用: IBAD 輔助鍍膜, 通過向生長(zhǎng)的薄膜中添加能量來增強(qiáng)分子動(dòng)力學(xué), 以增加表面和原子 / 分子的流動(dòng)性, 從而導(dǎo)致薄膜的致密化或通過向生長(zhǎng)薄膜中添加活性離子來增強(qiáng)薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化, 從而得到化學(xué)計(jì)量完整材料.離子源對(duì)工藝過程的優(yōu)化: 無需加熱襯底, 對(duì)溫度敏感材料進(jìn)行低溫處理, 簡(jiǎn)化反應(yīng)沉積.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專 . 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源總代理.

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