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KRI 考夫曼離子源 KDC 40上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準(zhǔn)第三層?xùn)艠O. 離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預(yù)清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.KRI 考夫曼離子源 KDC 40 技術(shù)參數(shù)
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型號 |
KDC 40 |
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陽極 |
DC 直流 |
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陽極功率 |
100W |
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*大離子束流 |
>100mA |
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電壓 |
100-1200V |
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氣體 |
惰性和反應(yīng)氣體 |
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進氣流量 |
2-10sccm |
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壓力 |
<0.5m Torr |
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離子光學(xué)(自對準(zhǔn)) |
OptiBeamTM |
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離子束直徑 |
4cm Φ max |
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柵極 |
鉬和石墨 |
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離子束形狀 |
聚焦, 平行, 散射 |
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高度 |
16cm |
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直徑 |
9cm |
KRI 考夫曼離子源 KDC 40 應(yīng)用領(lǐng)域濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD表面改性, 激活 SM離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD離子蝕刻 IBE
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