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KRI 考夫曼離子源 KDC 10上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 10: 考夫曼型離子源 Gridded 系列最小型號的離子源. 適用于集成在小型的真空設(shè)備中, 例如預(yù)清洗, 離子濺射, 離子蝕刻. 在 <1000eV 低能量, 通 Ar 氬氣時離子蝕刻的能力顯著提高.KDC 10 離子源低損傷, 寬束設(shè)計, 低成本等優(yōu)點廣泛應(yīng)用在顯微鏡領(lǐng)域, 標準配置下 KDC 10 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 10mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 10 技術(shù)參數(shù)
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型號 |
KDC 10 |
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供電 |
DC magnetic confinement |
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- 陰極燈絲 |
1 |
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- 陽極電壓 |
0-100V DC |
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- 柵極直徑 |
1cm |
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中和器 |
燈絲 |
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電源控制 |
KSC 1202 |
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配置 |
- |
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- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 |
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- 架構(gòu) |
移動或快速法蘭 |
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- 高度 |
4.5' |
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- 直徑 |
1.52' |
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- 離子束 |
集中 |
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-加工材料 |
金屬 |
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-工藝氣體 |
惰性 |
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-安裝距離 |
2-12” |
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- 自動控制 |
控制4種氣體 |
KRI 考夫曼離子源 KDC 10 應(yīng)用領(lǐng)域離子清洗, 顯微鏡拋光 IBP濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜) IBAD表面改性, 激活 SM離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD離子蝕刻 IBE
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