在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)過程中，晶圓芯片表面會存在各種微粒、金屬離子、有機物及殘留的磨料顆粒等沾污雜質(zhì)，為了避免污染物對芯處理性能造成致致命影響和缺陷，在保證不破壞芯處理及其他輔助材料表面特性、電特性的前提下，半導(dǎo)體晶圓在制造過程中，需要經(jīng)過多次的表面清洗步驟，而晶圓光刻膠plasma等離子清洗機是晶圓級和3D封裝應(yīng)用的理想的干式清洗設(shè)備。

晶圓光刻蝕膠等離子清洗機的應(yīng)用：

等離子應(yīng)用包括預(yù)處理、灰化/光刻膠/聚合物剝離、晶圓凸點、消除靜電、介電質(zhì)刻蝕、有機污染去除、晶圓減壓等。使用等離子清洗，不僅徹底去除光刻膠和其他有機物，而且活化和粗化晶圓表面，提高晶圓表面浸潤性。

 等離子清洗機外觀簡潔，高度集成化，該設(shè)備外觀簡潔、高度集成化，可應(yīng)用在半導(dǎo)體、微納電子、MEMS、PCB、 光學電子、光學制造、汽車電子、醫(yī)療產(chǎn)品、生命科學、食品行業(yè)等領(lǐng)域，可對各種材料的表面進行有機物去除、清潔、靜電消除，化學修飾或涂層沉積。

晶圓光刻蝕膠等離子清洗機的清洗過程：

等離子清洗機清洗過程就是先將晶圓放入等離子清洗機的真空反應(yīng)腔體內(nèi)，然后抽取真空，達到一定真空度后通入反應(yīng)氣體，這些反應(yīng)氣體被電離形成等離子體與晶片表面發(fā)生化學和物理反應(yīng)，生成可揮發(fā)性物質(zhì)被抽走，使得晶圓表面變得清潔并具親水性。整個清洗工藝流程幾分鐘內(nèi)即可完成,等離子清洗需要控制的真空度約為100Pa，這種清洗條件很容易達到。因此這種裝置的設(shè)備成本不高，加上清洗過程氣固相干式反應(yīng)，不消耗水資源，不需要使用價格較為昂貴的有機溶劑 ，這使得整體成本要低于傳統(tǒng)的濕法清洗工藝。而且解決了濕法去除晶圓表面的光刻膠存在反應(yīng)不能**控制，清洗不徹底，容易引入雜質(zhì)等缺點。

作為干法清洗等離子清洗機可控性強，一致性好，不僅徹底去除光刻膠有機物，而且還活化和粗化晶圓表面，提高晶圓表面浸潤性

晶圓清潔 - 等離子清洗機用于在晶圓凸點工藝前去除污染，還可以去除有機污染、去除氟和其它鹵素污染、去除金屬和金屬氧化。

晶圓刻蝕 - 等離子清洗機預(yù)處理晶圓的殘留光刻膠和BCB，重新分配圖形介電層，線條/光刻膠刻蝕，應(yīng)用于晶圓材料的附著力增強，去除多余的塑封材料/環(huán)氧樹脂，增強金焊料凸點的附著力，晶圓減壓減少破碎，提高旋涂膜附著力，清潔鋁焊盤