生產(chǎn)型 高真空磁控濺射及離子輔助復(fù)合鍍膜機(jī)(PVD-1000B系列)該設(shè)備采用磁控濺射、離子輔助、反應(yīng)濺射的工藝方法,在工件表面制備各種薄膜材料。該設(shè)備是集成了工件表面處理、離子清洗、顆粒物控制、磁控濺射、離子輔助鍍膜及反應(yīng)濺射鍍膜等工藝方法于一體的PVD設(shè)備。
可以制備單層膜、多層膜、摻雜膜、金屬膜及合金膜、化合物薄膜等。設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能參數(shù)真空室為圓柱形、上開蓋、前開門結(jié)構(gòu);使用材料均為奧氏體不銹鋼304/321,表面電化學(xué)拋光處理,無(wú)微觀毛刺,不會(huì)藏污納垢。磁控濺射靶為矩形,沿真空室壁的圓周排列,可調(diào)整靶面與工件的距離。樣品架為圓筒形,樣品裝載數(shù)量大;旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)為齒輪驅(qū)動(dòng)式,動(dòng)力直連輸入,經(jīng)齒輪驅(qū)動(dòng)樣品臺(tái)轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn),運(yùn)行平穩(wěn),無(wú)抖動(dòng);密封可靠,故障率低。加熱系統(tǒng)采用紅外加熱器,對(duì)真空環(huán)境無(wú)污染,加熱均勻;采用具有PID功能的智能溫控儀控制加熱功率。電氣控制及操作系統(tǒng)工作穩(wěn)定可靠,操作界面清晰大方,便于操作。系統(tǒng)安全保護(hù)設(shè)置齊全,設(shè)備啟動(dòng)后可實(shí)行無(wú)人運(yùn)行。設(shè)備重點(diǎn)性能參數(shù)
極限真空度 | 8X10-5Pa |
工作背景真空度 | 8X10-4Pa |
工作背景真空到達(dá)時(shí)間 | <40min(空氣濕度低于45%;開門時(shí)間<30min條件下從大氣抽到工作真空度時(shí)間) |
樣品加熱溫度 | 室溫~300℃ |
樣品架公轉(zhuǎn)速度 | 3~10r/min連續(xù)可調(diào) |
片內(nèi)膜層均勻性 | <5% |
片間膜層均勻性 | ?。?% |
磁控靶數(shù)量 | 3靶(可根據(jù)用戶工藝擴(kuò)展靶位) |
真空清洗離子靶 | 1靶 |