生產(chǎn)型TGV/TSV/TMV 高真空磁控濺射鍍膜機(jī)（Sputter-2000W系列）該設(shè)備用于玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的鍍膜，深徑比>10:1。例如：用于基板鍍膜工序Cu/Ti微結(jié)構(gòu)，Au/TiW傳輸導(dǎo)線雙體系膜層淀積能力，為微系統(tǒng)集成密度提升提供支撐。

本設(shè)備優(yōu)點：膜層均勻性及重復(fù)性高，膜層附著力強(qiáng)，設(shè)備依據(jù)工藝配方進(jìn)行可編程自動化控制。設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能參數(shù)- 單鍍膜室、雙鍍膜室、多腔體鍍膜室- 臥式結(jié)構(gòu)、立式結(jié)構(gòu)- 線列式、團(tuán)簇式- 樣品傳遞：直線式、圓周式- 磁控濺射靶數(shù)量及類型：多支矩形磁控靶- 磁控濺射靶：直流、射頻、中頻、高能脈沖兼容- 基片可加熱、可升降、可加偏壓- 通入反應(yīng)氣體，可進(jìn)行反應(yīng)濺射鍍膜- 操作方式：手動、半自動、全自動- 基片托架：根據(jù)基片尺寸配置- 基片幅面：2、4、6、8、10英寸及客戶**尺寸- 進(jìn)/出樣室極限真空度：≤8X10-5Pa- 進(jìn)/出樣室工作背景真空度：≤2X10-3Pa- 鍍膜室的極限真空度：5X10-5Pa,　工作背景真空度：8X10-4Pa- 膜層均勻性：<5%（片內(nèi)），<5%（片間）- 設(shè)備總體漏放率：關(guān)機(jī)12小時真空度≤10Pa

工作條件