高真空磁控濺射儀（磁控濺射鍍膜機）是用磁控濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學(xué)反應(yīng)膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。

設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)特點

秉承設(shè)備為工藝實現(xiàn)提供實現(xiàn)手段的理念，我們做了如下設(shè)計和工程實現(xiàn)，實際運行效果良好，為用戶的專用工藝實現(xiàn)提供了**的工藝設(shè)備方案。

靶材背面和濺射靶表面的結(jié)合處理

-靶材和靶面直接做到面接觸是很難的，如果做不到面接觸，接觸電阻將增大，導(dǎo)致離化電場的幅值不夠（接觸電阻增大，接觸面的電場分壓增大），導(dǎo)致鍍膜效果不好；電阻增大導(dǎo)致靶材發(fā)熱升溫，降低鍍膜質(zhì)量。

-靶材和靶面接觸不良，導(dǎo)致水冷效果不好，降低鍍膜質(zhì)量。

-增加一層特殊導(dǎo)電導(dǎo)熱的軟薄的物質(zhì)，保證面接觸。

距離可調(diào)整

基片和靶材之間的距離可調(diào)整，以適應(yīng)不同靶材的成膜工藝的距離要求。

角度可調(diào)

磁控濺射靶頭可調(diào)角度，以便針對不同尺寸基片的均勻性，做**調(diào)控。

集成一體化柜式結(jié)構(gòu)

一體化柜式結(jié)構(gòu)優(yōu)點：

安全性好（操作者不會觸碰到高壓部件和旋轉(zhuǎn)部件）

占地面積小，尺寸約為：長1100mm×寬780mm（標準辦公室門是800mm寬）（傳統(tǒng)設(shè)備大約為2200mm×1000mm），相同面積的工作場地，可以放兩臺設(shè)備。

控制系統(tǒng)：用計算機＋PLC兩級控制系統(tǒng)

安全性

-電力系統(tǒng)的檢測與保護

-設(shè)置真空檢測與報警保護功能

-溫度檢測與報警保護

-冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測和流量

-檢測與報警保護

勻氣技術(shù)

工藝氣體采用勻氣技術(shù)，氣場更均勻，鍍膜更均勻。

基片加熱技術(shù)

采用鎧裝加熱絲，由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內(nèi)，所以高溫加熱過程中不釋放雜質(zhì)物質(zhì)，保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里，保證溫常的均勻，然后再對基片加熱。

真空度更高、抽速更快

真空室內(nèi)外，全部電化學(xué)拋光，完全去除表面微觀毛刺叢林（在顯微鏡下可見），沒有微觀藏污納垢的地方，腔體內(nèi)表面積減少一倍以上，鍍膜更純凈，真空度更高，抽速更快。

高真空磁控濺射儀（磁控濺射鍍膜機）設(shè)備詳情

設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能

1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室＋進樣室、鍍膜室+手套箱

2、磁控濺射靶數(shù)量及類型：1 ～ 6 靶，圓形平面靶、矩形靶3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝

3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝

4、磁控濺射靶：射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容

5、基片可旋轉(zhuǎn)、可加熱

6、通入反應(yīng)氣體，可進行反應(yīng)濺射鍍膜7、操作方式：手動、半自動、全自動

工作條件

高真空磁控濺射儀（磁控濺射鍍膜機）

設(shè)備主要技術(shù)指標

-基片托架：根據(jù)供件大小配置。

-基片加熱器溫度：根據(jù)用戶供應(yīng)要求配置，溫度可用電腦編程控制，可控可調(diào)。

-基片架公轉(zhuǎn)速度 ：2 ～100 轉(zhuǎn) / 分鐘，可控可調(diào)；基片自轉(zhuǎn)速度：2 ～20 轉(zhuǎn) / 分鐘。

-基片架可加熱、可旋轉(zhuǎn)、可升降。

-靶面到基片距離： 30 ～ 140mm 可調(diào)。

 -Φ2 ～Φ3 英寸平面圓形靶 2 ～ 3 支，配氣動靶控板，靶可擺頭調(diào)角度。

-鍍膜室的極限真空：6X10-5Pa，恢復(fù)工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分鐘左右（新設(shè)備充干燥氮氣）。

-設(shè)備總體漏放率：關(guān)機 12 小時真空度≤10Pa。