金剛石作為超寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有高載流子遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場、高載流子飽和速率和低介電常數(shù)等優(yōu)異物理特性，被認(rèn)為是制備下一代高功率、高頻、高溫及低功率損耗電子器件的“**半導(dǎo)體”。

我國金剛石半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與**國家相比存在：1、關(guān)鍵設(shè)備依賴進口，無自主知識產(chǎn)權(quán)，易遭到國外封鎖；2、缺乏大尺寸金剛石襯底制備和薄膜外延生長工藝；3、金剛石研磨、鍵合、減薄技術(shù)不成熟等差距。本項目集合高校*科研團隊和工業(yè)界**工程師團隊，打通產(chǎn)業(yè)化所需的高質(zhì)量金剛石薄膜生長、HFCVD熱絲CVD金剛石設(shè)備定制、晶圓拋磨鍵合減薄等研發(fā)和生產(chǎn)環(huán)節(jié)，從工具級、熱學(xué)級產(chǎn)品切入，并將持續(xù)推動光學(xué)級、電子級甚至量子級產(chǎn)品研發(fā)。

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司（簡稱：鵬城半導(dǎo)體）自主研發(fā)的HFCVD熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備（熱絲化學(xué)氣相沉積（HFCVD）金剛石涂層設(shè)備）可用于微米晶、納米晶金剛石晶圓片生產(chǎn)，也可制造防腐耐磨硬質(zhì)涂層、金剛石BDD電極、太陽能薄膜電池等。

自主研發(fā)生產(chǎn)的單/雙面鍍膜熱絲CVD金剛石設(shè)備（HFCVD）可制備金剛石多晶晶圓片襯底尺寸：2英寸、4英寸、6英寸、8英寸。

金剛石薄膜生產(chǎn)線

6英寸金剛石散熱晶圓片

應(yīng)用領(lǐng)域：第三代半導(dǎo)體、大功率激光器、10G通訊、微納聲學(xué)、功放器件、濾波器件等；可用于力學(xué)級別、熱學(xué)級別、光學(xué)級別、聲學(xué)級別的金剛石產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)。

公司簡介：

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司，由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與有多年實踐經(jīng)驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于市場前沿、產(chǎn)業(yè)前沿和技術(shù)前沿的交叉點，尋求創(chuàng)新**與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

公司核心業(yè)務(wù)是微納材料（含半導(dǎo)體材料）、微納制造工藝、微納裝備的研發(fā)設(shè)計和生產(chǎn)制造。

科研型設(shè)備：PVD、CVD、MBE分子束外延等。

工業(yè)生產(chǎn)型設(shè)備：大型蒸鍍設(shè)備、多弧離子源鍍膜設(shè)備、矩形磁控濺射鍍膜設(shè)備、電子束蒸發(fā)設(shè)備、OLED鍍膜設(shè)備、HFCVD熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備、真空高溫CVD爐、六英寸MBE生產(chǎn)設(shè)備。

公司技術(shù)和產(chǎn)品可以廣泛應(yīng)用于：新材料、新能源、微電子光電子、半導(dǎo)體、聲學(xué)、光學(xué)、微機電系統(tǒng)（MEMS）；傳感器、生物醫(yī)學(xué)、**醫(yī)療、大健康、環(huán)保、微納機器人、表面技術(shù)等領(lǐng)域。

公司核心研發(fā)團隊知識結(jié)構(gòu)完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊，還有來自工業(yè)界的**裝備設(shè)計師團隊。公司團隊具有20多年的微納材料與器件研究（含半導(dǎo)體材料）、PVD/CVD沉積技術(shù)研究、外延技術(shù)研究、薄膜制備成套裝備設(shè)計和生產(chǎn)制造的經(jīng)驗。