離子鍍膜設備起源于20世紀50年代D.M.Maiox提出的理論，且在當時開始有了對應的實驗;直到1971年，Chamber等發(fā)表電子束離子鍍膜技術;而反應蒸鍍(ARE)技術則是在1972年的Bunshah報告所指出，此時產(chǎn)生了TC及TN等超硬質的薄膜類型;同樣是在1972年，Smith和Moley在鍍膜工藝中采用了空心陰極技術。到了20世紀80年代，我國離子鍍終于達到工業(yè)應用的水準，相繼出現(xiàn)了真空多弧離子鍍及電弧放電型離子鍍等鍍膜工藝。 

真空離子鍍的整個工作過程是:首先先將真空室抽真空，待至真空環(huán)境壓力抽至4X10-3Pa之上，需要把高壓電源接通，在基材與蒸發(fā)器間構建一個低壓放電氣體的等離子低溫區(qū)域。用50OV直流負高壓連接基材電極，從而形成陰極的輝光放電。惰性氣體離子是在負輝光區(qū)附近產(chǎn)生的，其進入陰極暗區(qū)被電場加速并對基材表面進行轟擊，這是一個清洗過程，之后就進入鍍膜過程，通過轟擊加熱的作用，氣化一些鍍料，等離子區(qū)內進入原子，與電子及惰性氣體離子產(chǎn)生碰撞，也有少部分發(fā)生離化，對于這些離化后的離子擁有高能量會對薄膜表面進行轟擊，一定程度上會改善膜層質量。 

真空離子鍍的原理是:在真空室中，利用氣體的放電現(xiàn)象或蒸發(fā)物質的離化部分，在蒸發(fā)物質離子或氣體離子的轟擊作用下，同時沉積這些蒸發(fā)物或其反應物在基材上得到薄膜。離子鍍膜設備把真空蒸發(fā)、等離子體技術與氣體輝光放電這三項技術結合起來，不單是使膜層質量明顯改進了，而且還讓薄膜應用范圍擴大了。該工藝的優(yōu)點是繞射性強、薄膜附著力好、可鍍膜材多樣等。離子鍍原理是由D.M.Matox**提出的，離子鍍有很多種類，較為常見的是蒸發(fā)加熱方式這一類，有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應加熱等各種加熱方式的離子鍍膜裝置。