等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備有兩種:其一是PCVD(等離子體一般化學(xué)氣相沉積)，另一個(gè)是PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)，它們都是在20世紀(jì)70年代發(fā)展起來(lái)的鍍膜工藝。其特點(diǎn)是:

1、在不同基片上制備各種金屬膜、有機(jī)物聚合膜、非晶態(tài)無(wú)機(jī)物膜;

2、等離子體清洗基材，使膜層的附著力增加;

3、可制備厚膜，內(nèi)應(yīng)力小、致密性好、針孔小、膜層成分均勻、不易產(chǎn)生微裂紋;

4、低溫成膜，溫度對(duì)基材沒什么影響，避免了高溫成膜的晶粒粗大及基材與膜層間生成脆相。

PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）是將基材置于輝光低氣壓放電的陰極上，以適當(dāng)氣體通人，在溫度一定的條件下，利用離子轟擊和化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的鍍膜過程，在基材表面得到薄膜。如果采用TCl、N、Hh混合氣體，在輝光放電條件下沉積TN，則將在基材表面吸收氣相物質(zhì)并產(chǎn)生反應(yīng)，**形成薄膜沉積在基材表面上。反應(yīng)過程中產(chǎn)生的輝光放電，有兩種作用:

1、基材可得到均勻的加熱，為薄膜沉積提供合適的溫度環(huán)境;

2、放電中產(chǎn)生的離子對(duì)基材表面有清洗作用。

這兩種作用可提高膜層結(jié)合力，加快反應(yīng)速度。

PCVD等離子體化學(xué)氣相沉積等離子體在電力激發(fā)的輸入方式上有內(nèi)部感應(yīng)耦合和外部感應(yīng)耦合兩種方式，從鍍膜過程的生產(chǎn)方式來(lái)講，有連續(xù)式、半連續(xù)式和批量式等幾種方式。

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