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企業(yè)特殊行業(yè)經(jīng)營資質(zhì)信息公示
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制造商
2021
PVD鍍膜設(shè)備,磁控濺射,化學(xué)氣相沉積CVD,HFCVD熱絲化學(xué)氣相沉積,金剛石涂層,電子束蒸鍍機(jī),PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積
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公司簡介
鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司，由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）、北京琨騰科技有限公司以及有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿與市場前沿的交叉點(diǎn)，尋求創(chuàng)新引領(lǐng)與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。
公司核心業(yè)務(wù)是半導(dǎo)體材料、工藝和裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造。
公司人才團(tuán)隊(duì)知識結(jié)構(gòu)完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì)；還有來自工業(yè)界的**裝備設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì)，他們具有20多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造經(jīng)驗(yàn)。
公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳），具備先進(jìn)的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺和檢測設(shè)備平臺，可以在高起點(diǎn)開展科研工作。公司已具有2500多平米潔凈廠房，可開展半導(dǎo)體材料和組件的中試、生產(chǎn)，同時(shí)可進(jìn)行半導(dǎo)體裝備的生產(chǎn)和調(diào)試。
半導(dǎo)體材料事業(yè)部、半導(dǎo)體器件事業(yè)部、半導(dǎo)體裝備事業(yè)部。
團(tuán)隊(duì)部分業(yè)績分布
完全自主設(shè)計(jì)制造的分子束外延（MBE）設(shè)備，包括自主設(shè)計(jì)制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實(shí)時(shí)在線監(jiān)控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計(jì)量外延生長的分子層數(shù)）、射頻源等關(guān)鍵部件。真空度達(dá)到2×10-8Pa。典型用戶：浙江大學(xué)光學(xué)儀器國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
采用磁控濺射與等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD技術(shù)，設(shè)計(jì)制造了團(tuán)簇式太陽能薄膜電池中試線。典型用戶：中科院電工所。
采用熱絲法，設(shè)計(jì)制造了金剛石薄膜制備設(shè)備，應(yīng)用于金剛石薄膜材料的研究與生產(chǎn)。典型用戶：中國科學(xué)院金屬研究所。
設(shè)計(jì)制造了全自動磁控濺射設(shè)備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設(shè)計(jì)的真空機(jī)械手傳遞基片。應(yīng)用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試。使用單位：武漢國家光電實(shí)驗(yàn)室。
設(shè)計(jì)制造了科研型的磁控濺射儀，典型用戶：南方科技大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、南京大學(xué)、浙江大學(xué)、南開大學(xué)、武漢理工大學(xué)。
設(shè)計(jì)制造了磁控濺射生產(chǎn)型設(shè)備，用于半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)，典型用戶：武漢光迅科技有限公司、深圳彩煌熱電技術(shù)公司。
設(shè)計(jì)制造了OLED有機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備。典型用戶：香港城市大學(xué)先進(jìn)材料實(shí)驗(yàn)室、吉林奧來德光電材料股份有限公司。
設(shè)計(jì)制造了電子束鍍膜機(jī)。典型用戶：武漢理工大學(xué)、南方科技大學(xué)、中國計(jì)量大學(xué)。
設(shè)計(jì)制造了高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)、高真空電極制備鍍膜機(jī)。典型用戶：蘇州大學(xué)、北京大學(xué)。
公司已投放市場的部分半導(dǎo)體設(shè)備
|物理氣相沉積（PVD）系列
磁控濺射、電子束、熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)，激光沉積設(shè)備PLD
|化學(xué)氣相沉積（CVD）系列
MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等離子體CVD、熱絲CVD、原子層沉積設(shè)備ALD
|超高真空系列
分子束外延系統(tǒng)（MBE）、激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE）
|成套設(shè)備
團(tuán)簇式太陽能薄膜電池中試線、OLED中試設(shè)備（G1、G2.5）
|其他
金剛石薄膜制備設(shè)備、合金退火爐、硬質(zhì)涂層設(shè)備、磁性薄膜設(shè)備、電極制備設(shè)備
|真空鍍膜機(jī)專用電源/真空鍍膜機(jī)控制系統(tǒng)及軟件
直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發(fā)電源、高能直流脈沖電源（中頻可調(diào)脈寬）
控制系統(tǒng)及軟件
團(tuán)隊(duì)在第三代半導(dǎo)體裝備及工藝方面的技術(shù)積累
2001年 與南昌大學(xué)合作
設(shè)計(jì)了中試型的全自動化監(jiān)控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。
2005年 與浙江大學(xué)光學(xué)儀器國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室合作
設(shè)計(jì)制造了**臺完全自主知識產(chǎn)權(quán)的分子束外延設(shè)備，用于外延光電半導(dǎo)體材料。
2006年 與中國科技大學(xué)合作
設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)超高溫CVD 和MBE。
用于4H晶型SiC外延生長。
2007年 與蘭州大學(xué)物理學(xué)院合作
設(shè)計(jì)制造了光學(xué)級金剛石生長設(shè)備（采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù)）。
2015年 中科院金屬研究所沈陽材料科學(xué)國家（聯(lián)合）實(shí)驗(yàn)室合作
制造了金剛石外延設(shè)備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜。
2017年
-優(yōu)化Rheed設(shè)計(jì)，開始生產(chǎn)型MBE設(shè)計(jì)。
-開始研制PVD方法外延GaN的工藝和裝備，目前正在進(jìn)行設(shè)備工藝驗(yàn)證。
2019年
設(shè)計(jì)制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設(shè)備。
