Nidek晶片平坦/翹曲度測(cè)量?jī)xSi/Ge/GaAs/InP/SiC/LT/LN)FT-17

一，FT-17是∮130mm以下各類(lèi)晶片平坦度測(cè)試裝置，該裝置采用激光斜射干涉技術(shù)

二，可設(shè)定1，2，3，4，5μm/fringe的干涉條紋。

三，接入標(biāo)準(zhǔn)的解析裝置，以表示各類(lèi)晶片的平面度。測(cè)定結(jié)果，可用各種測(cè)定值，等高線圖，俯視圖，斷面圖等圖表示。

四，無(wú)須校準(zhǔn)

五，以專(zhuān)用解析裝置控制程序使操作變得容易

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?技術(shù)參數(shù)：

1，測(cè)定方法：光波干涉方法（傾斜入射）

2，光源：半導(dǎo)體激光（655nm，3mw）

3，樣片尺寸：∮130mm以下，但是平坦度在∮100mm以下

4，樣片厚度：2000um以下（平坦度測(cè)定250um-1000um以下）但是承受臺(tái)*10mm、其他厚度請(qǐng)以其他方式商談

5，樣片的種類(lèi)：晶片（硅、化合物、酸化物、玻璃）金屬片、磁碟（鋁、玻璃）模具等?鏡面及非鏡面（除反射率低的非鏡面）

6，樣片的傾斜角度：比垂直向前傾斜8度

7，干涉計(jì)設(shè)定感度：1，2，3，4，5μm/線距

8，測(cè)定范圍：線距感光的30倍（線距狀況、有比鏡片尺寸等30倍以下的場(chǎng)合）

詳情請(qǐng)咨詢(xún)或QQ

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