工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀

公稱型號 北京華測工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀

產(chǎn)品簡介1、主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。主要可以測量電容器、互感器、變壓器、絕緣紙、電容器薄膜等各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容量( Cx)，其測量線路采用“正接法”即測量對地絕緣的試品。由于電橋內(nèi)附有一個2500KV的高壓電源及一臺高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器，并將副橋和檢流計與高壓電橋有機(jī)的結(jié)合在一起，特別適應(yīng)測量各類絕緣油和絕緣材料的介損(tgδ)及介電常數(shù)(ε)。2、橋體本身帶有5kV/100pF標(biāo)準(zhǔn)電容，測量材料介損更為方便。3、橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線及少。4、橋體采用了多樣化的介損測量

參數(shù)規(guī)格1、測量范圍及誤差                 在Cn＝100pF    R4＝3183.2(Ω)(即10K/π)時 測量項目 測量范圍 測量誤差 電容量Cx 40pF－－20000pF ±0.5% Cx±2pF介質(zhì)損耗tgδ 0～1 ±1.5％tgδx±1×10-4              在Cn＝100pF    R4＝318.3(Ω)(即1K/π)時 測量項目 測量范圍 測量誤差 電容量Cx 4pF－－2000pF ±0.5% Cx±2pF介質(zhì)損耗tgδ 0～0.1 ±1.5％tgδx±1×10-4 Cx＝R4×Cn/R3 tgδ＝ω?Ｒ４?Ｃ４ 高壓電源技術(shù)特性 電壓輸出：0～2500V/50Hz高壓電流輸出：0～20mA內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)電容器 電容量的名義值為100pF tgδ小于5×10-5

固體絕緣材料測試電極 本電極適用于固體電工絕緣材料如絕緣漆、樹脂和膠、浸漬纖制品、層壓制品、云母及其制品、塑料、電纜料、薄膜復(fù)合制品、陶瓷和 玻璃等的相對介電系數(shù)（ε）與介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）的測試。本電極主要用于頻率在工頻50Hz下測量試品的相對介電系數(shù)（ε）和介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）。本電極的設(shè)計主要是參照國標(biāo)GB1409-2006。  本電極采用的是三電極式結(jié)構(gòu)，能有效的消除表面漏電流的影響，使測量電極下的電場趨于均勻電場。    主要技術(shù)指標(biāo) 高低壓電極之間距離：0～14mm可調(diào)測量極直徑：￠38±0.1mm高壓電極直徑：￠56±0.1mm測量極與保護(hù)環(huán)間隙為1±0.05空極tgδ：≤5×10-5測試電壓：2kV實驗頻率：50/60Hz常溫或耐受溫度200℃(數(shù)字百分表不能加溫） 帶數(shù)字百分表測量范圍為0~12mm制作技術(shù)指標(biāo)依據(jù)GB/T1303.2－－-2009注：原材料為不銹鋼與聚四氟乙烯，接口為與電橋配套用專用插座（帶專用插頭）。

產(chǎn)品優(yōu)勢

1、主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。主要可以測量電容器、互感器、變壓器、絕緣紙、電容器薄膜等各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容量( Cx)，其測量線路采用“正接法”即測量對地絕緣的試品。由于電橋內(nèi)附有一個2500KV的高壓電源及一臺高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器，并將副橋和檢流計與高壓電橋有機(jī)的結(jié)合在一起，特別適應(yīng)測量各類絕緣油和絕緣材料的介損(tgδ)及介電常數(shù)(ε)。2、橋體本身帶有5kV/100pF標(biāo)準(zhǔn)電容，測量材料介損更為方便。3、橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線及少。4、橋體采用了多樣化的介損測量

影響介電性能的因素

下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對介電性能的影響。    

1）頻率

因為只有少數(shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的ε和taδ幾乎是恒定的，且被用作工程電介質(zhì)材料，然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。

電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生，重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的。

2）溫度

損耗指數(shù)在一個頻率下可以出現(xiàn)一個至大值，這個頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的，這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)至大值位置。

3）濕度

極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加，其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗前和試驗時對環(huán)境濕度進(jìn)行控制是必不可少的。 

注：濕度的顯著影響常常發(fā)生在1MHZ以下及微波頻率范圍內(nèi)。

4）電場強(qiáng)度

 存在界面極化時，自由離子的數(shù)目隨電場強(qiáng)度增大而增加，其損耗指數(shù)至大值的大小和位置也隨此而變。

 在較高的頻率下，只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強(qiáng)度無關(guān)。