銻化鎵（GaSb）是一種Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料，以其優(yōu)異的性能在銻化物紅外光電器件領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。銻化鎵襯底材料的主要特性包括其直接帶隙特性，在300K下的禁帶寬度為0.725eV，以及較高的熱穩(wěn)定性。這些特性使得銻化鎵成為制造高性能紅外探測(cè)器、激光器、光電探測(cè)器和高頻器件的理想材料，尤其在紅外成像領(lǐng)域中表現(xiàn)出色。

銻化鎵襯底的應(yīng)用廣泛，涵蓋了從光通信、光激光到光敏檢測(cè)等多個(gè)工程領(lǐng)域。它特別適用于制作覆蓋0.8μm至4.3μm光譜波長(zhǎng)的器件，這一范圍與多種III-V族化合物材料的晶格常數(shù)相匹配，使得銻化鎵成為外延生長(zhǎng)這些材料的理想襯底。通過(guò)使用銻化鎵襯底，可以有效減少因晶格失配引起的應(yīng)力和缺陷問(wèn)題，提高器件性能。

銻化鎵襯底的制造技術(shù)包括液封直拉法（LEC）、垂直溫度梯度凝固法（VGF）等，這些技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)大尺寸單晶的生長(zhǎng)，并保持低缺陷密度和良好的表面質(zhì)量。此外，銻化鎵襯底的可摻雜性也為其在各種應(yīng)用中提供了靈活性，例如通過(guò)摻雜不同的雜質(zhì)來(lái)改變其導(dǎo)電類型。

在超晶格材料方面，銻化鎵因其獨(dú)特的性質(zhì)而受到重視。超晶格材料是由兩種不同組元的半導(dǎo)體材料以納米級(jí)薄層交替生長(zhǎng)而成，銻化鎵在這些結(jié)構(gòu)中表現(xiàn)出**的性能，特別是在紅外探測(cè)器領(lǐng)域。這類探測(cè)器在制冷型和儲(chǔ)能型應(yīng)用中都顯示出巨大的潛力。

銻化鎵襯底在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的應(yīng)用廣泛而重要，特別是在高性能紅外光電器件和超晶格材料的應(yīng)用中展現(xiàn)出其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。